2SK3216-01 是一款由东芝(Toshiba)公司生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要设计用于高频开关应用。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性。2SK3216-01 特别适用于DC-DC转换器、电源管理模块以及便携式电子设备中的功率转换电路。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):5A
导通电阻(Rds(on)):最大40mΩ(在Vgs=10V时)
功率耗散(Pd):2W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:SOP(表面贴装封装)
封装尺寸:具体尺寸需参考数据手册
2SK3216-01 MOSFET具备多项优良特性,适合高频和高效率应用。
首先,其低导通电阻(Rds(on))最大为40mΩ,在Vgs=10V时,有助于降低导通损耗,提高系统效率。这在电池供电设备和高效能电源转换器中尤为重要。
其次,该器件的漏源电压为30V,连续漏极电流可达5A,适用于中等功率的应用场景。栅源电压范围为±20V,提供了良好的栅极驱动兼容性,能够与常见的驱动电路配合使用。
此外,2SK3216-01采用了SOP封装形式,体积小巧,适合高密度PCB布局。这种封装方式也便于自动化生产和散热设计。
其功率耗散能力为2W,能够在较宽的温度范围内稳定工作。工作温度范围从-55°C到+150°C,使其适用于各种恶劣的环境条件,如工业控制、汽车电子和消费类电子产品。
高速开关特性使得该MOSFET在高频DC-DC转换器中表现出色,减少了开关损耗并提高了整体效率。同时,其良好的热稳定性保证了在高温下仍能保持可靠的性能。
综上所述,2SK3216-01是一款性能优良、应用广泛的MOSFET,适用于需要高效能、小尺寸和高可靠性的电子系统。
2SK3216-01 MOSFET广泛应用于多种电子设备和系统中。主要应用领域包括DC-DC转换器、电源管理模块、电池供电设备、便携式电子产品以及高频开关电源。在DC-DC转换器中,该MOSFET用于高效能电压转换,提供稳定的电源输出。在电源管理系统中,它可用于负载开关和电源分配。此外,2SK3216-01也适用于需要高效率和小尺寸的LED驱动电路、电机控制电路以及工业自动化设备中的功率控制部分。
Si2302DS, AO3400A, IRF7404, 2SK3084