2SK3216-01 时间：2025/8/9 5:04:04 阅读：40

2SK3216-01 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高频开关应用。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性。2SK3216-01 特别适用于DC-DC转换器、电源管理模块以及便携式电子设备中的功率转换电路。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：5A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大40mΩ（在Vgs=10V时）
　　功率耗散（Pd）：2W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOP（表面贴装封装）
　　封装尺寸：具体尺寸需参考数据手册

特性

2SK3216-01 MOSFET具备多项优良特性，适合高频和高效率应用。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）最大为40mΩ，在Vgs=10V时，有助于降低导通损耗，提高系统效率。这在电池供电设备和高效能电源转换器中尤为重要。
　　其次，该器件的漏源电压为30V，连续漏极电流可达5A，适用于中等功率的应用场景。栅源电压范围为±20V，提供了良好的栅极驱动兼容性，能够与常见的驱动电路配合使用。
　　此外，2SK3216-01采用了SOP封装形式，体积小巧，适合高密度PCB布局。这种封装方式也便于自动化生产和散热设计。
　　其功率耗散能力为2W，能够在较宽的温度范围内稳定工作。工作温度范围从-55°C到+150°C，使其适用于各种恶劣的环境条件，如工业控制、汽车电子和消费类电子产品。
　　高速开关特性使得该MOSFET在高频DC-DC转换器中表现出色，减少了开关损耗并提高了整体效率。同时，其良好的热稳定性保证了在高温下仍能保持可靠的性能。
　　综上所述，2SK3216-01是一款性能优良、应用广泛的MOSFET，适用于需要高效能、小尺寸和高可靠性的电子系统。

应用

2SK3216-01 MOSFET广泛应用于多种电子设备和系统中。主要应用领域包括DC-DC转换器、电源管理模块、电池供电设备、便携式电子产品以及高频开关电源。在DC-DC转换器中，该MOSFET用于高效能电压转换，提供稳定的电源输出。在电源管理系统中，它可用于负载开关和电源分配。此外，2SK3216-01也适用于需要高效率和小尺寸的LED驱动电路、电机控制电路以及工业自动化设备中的功率控制部分。