2SK3174 时间：2025/9/7 7:16:42 阅读：12

2SK3174是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，适用于高频和高效率开关应用。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具备低导通电阻和优异的开关性能。2SK3174通常用于DC-DC转换器、电源管理模块以及各种需要高效功率控制的电路中。该器件采用TO-220封装形式，具备良好的热稳定性和散热能力，适用于工业级和消费类电子设备。

参数

类型：N沟道
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：15A
　　最大功耗(Pd)：40W
　　导通电阻(Rds(on))：50mΩ（典型值）
　　输入电容(Ciss)：1400pF（典型值）
　　开启阈值电压(Vgs(th))：2.5V~4.0V
　　工作温度范围：-55°C~150°C
　　封装形式：TO-220

特性

2SK3174具有多项优异的电气和热性能，适用于高效率功率转换应用。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET结构，优化了电场分布，提升了器件的耐压能力和开关速度。此外，2SK3174具备较高的栅极电荷（Qg）控制能力，使其在高频开关应用中表现良好，适用于PWM控制和同步整流等场景。其TO-220封装提供了良好的散热性能，能够在高负载条件下保持稳定运行，同时具备较强的抗热冲击能力。此外，该器件还具备较低的漏电流和优异的温度稳定性，适合在复杂电磁环境下使用。

应用

2SK3174广泛应用于各类功率电子设备中，特别是在需要高效能和高频率开关的场合。常见的应用包括DC-DC升压/降压转换器、电池管理系统、电机驱动器、电源适配器、LED驱动电源、逆变器、开关电源（SMPS）以及太阳能光伏逆变系统。由于其优异的导通特性和良好的热稳定性，2SK3174也常用于汽车电子系统、工业自动化控制以及消费类电子产品中的电源管理模块。在这些应用中，该器件能够有效降低能量损耗，提高系统效率，并延长设备的使用寿命。