类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：30A（在Tc=25℃时）
　　最大漏-源电压（VDS）：60V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(ON)）：约8.5mΩ（当VGS=10V时）
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装类型：TO-220SIS
　　功率耗散（PD）：90W
　　栅极电荷（Qg）：26nC
　　输入电容（Ciss）：1300pF

2SK3135-91STR 具有出色的导通和开关性能。其低导通电阻（RDS(ON)）可降低导通损耗，从而提高整体效率。此外，该器件的快速开关特性能够减少开关过程中的能量损耗，特别适合高频应用。该MOSFET采用先进的沟槽式结构，提供了更高的电流密度和更小的芯片尺寸，从而提高了器件的可靠性。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持从4.5V到10V的驱动电压，使其兼容多种驱动电路设计。同时，它具有良好的热稳定性，能够在高温度环境下稳定工作。2SK3135-91STR 采用TO-220SIS封装，具备良好的散热性能，适合高功率密度设计。
　　该MOSFET还具有较低的栅极电荷（Qg），这有助于减少驱动电路的功耗，并提高开关速度。同时，其低漏极-源极电容（Coss）有助于减少高频开关应用中的能量损失。

2SK3135-91STR 常用于各类功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电动工具、工业电机控制以及汽车电子系统。其高效能和高可靠性使其成为高性能电源转换和功率控制应用中的理想选择。

2SK3135-91STR的替代型号包括SiHHK3135-TD-E、FDN3135N、NTD3135N和IRL3135。这些型号在电气特性、封装形式和应用领域上与2SK3135-91STR相似，可作为替代选择，但需根据具体电路设计和散热要求进行验证。