2SK3119 时间：2025/8/2 7:18:23 阅读：44

2SK3119是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频率开关应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性，适用于电源转换、DC-DC转换器、电机控制以及各种高效率电源管理系统。2SK3119采用SOT-223封装，适合表面贴装技术（SMT）工艺，便于在紧凑型电子设备中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：20V
　　最大栅极-源极电压（VGSS）：±12V
　　最大连续漏极电流（ID）：50A
　　最大功率耗散（PD）：100W
　　导通电阻（RDS(ON)）：4.5mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-223

特性

2SK3119 MOSFET具备多项优异的电气和热性能。其低导通电阻（RDS(ON)）确保了在高电流应用中最小的功率损耗，从而提高整体效率。该器件支持高达50A的连续漏极电流，使其适用于高功率密度的电源设计。
　　此外，2SK3119采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供快速开关性能，减少开关损耗，适用于高频开关应用。其SOT-223封装具有良好的散热能力，有助于维持器件在高负载条件下的稳定性。
　　该MOSFET的工作温度范围为-55°C至+150°C，具有较强的环境适应性，可在极端温度条件下稳定运行。同时，其栅极驱动电压范围宽，便于与各种驱动电路兼容。

应用

2SK3119广泛应用于多种电力电子系统中，尤其是在需要高效率和高性能的场合。典型应用包括同步整流器、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器以及各类工业自动化设备中的电源模块。
　　由于其低导通电阻和高电流能力，2SK3119特别适合用于便携式设备的电源管理电路，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的电源转换模块。此外，它也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和车身控制模块等。
　　在工业领域，2SK3119可用于构建高效能的开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）系统以及LED照明驱动电路。