2SK3076 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),常用于高频功率放大器、电源管理以及开关电源等应用中。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和高电流承载能力,适合需要高效能和高稳定性的电子设备。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流:15A
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:20V
导通电阻:50mΩ(最大)
功率耗散:150W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:TO-220
2SK3076 MOSFET具有多项显著特性,使其在各种功率应用中表现出色。首先,它的低导通电阻(Rds(on))使得在导通状态下的功率损耗较低,提高了系统的整体效率。其次,该器件的最大漏极电流为15A,使其能够承受较大的负载电流,适用于大功率应用场景。此外,2SK3076的最大漏源电压为60V,能够在中等高压环境下稳定工作。该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,通常可以在4V至20V之间工作,使其兼容多种驱动电路设计。在封装方面,2SK3076采用TO-220封装,具有良好的散热性能,有助于提高器件的热稳定性和长期可靠性。此外,该器件的开关速度快,适用于高频开关应用,例如DC-DC转换器、电机控制和电源管理系统。最后,2SK3076的温度稳定性良好,能够在高温环境下保持性能稳定,确保电子设备的可靠运行。
2SK3076还具备良好的短路和过载保护能力,能够在极端条件下防止器件损坏。其封装设计也便于安装和散热管理,适合多种工业和消费类电子设备使用。由于其优异的电气特性和机械结构,2SK3076广泛应用于电源管理、汽车电子、工业自动化和通信设备等领域。
2SK3076 MOSFET主要用于各种功率电子设备中,例如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器和电池管理系统。在开关电源中,2SK3076用于高效能的功率转换,提供稳定的输出电压。在DC-DC转换器中,该MOSFET用于升压或降压操作,以适应不同电压需求。在电机控制应用中,2SK3076可用于控制直流电机的速度和方向。此外,它也常用于逆变器、功率放大器和LED照明驱动电路中。在汽车电子系统中,如车载充电器和电动助力转向系统,2SK3076也可发挥重要作用。该器件的高可靠性和高效能使其成为工业自动化设备、UPS系统以及通信基站电源模块的理想选择。
2SK2545, 2SK1532, 2SK3082