时间：2025/8/2 4:37:32
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2SK3020-TP是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，常用于高频率开关电源、DC-DC转换器以及功率放大器等应用。该器件采用TO-252封装，具备良好的热稳定性和高频特性，适用于需要高效能和小型化设计的电源系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
漏极电流(Id)：15A
导通电阻(Rds(on))：35mΩ（典型值）
功耗(Pd)：50W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-252
2SK3020-TP具有低导通电阻特性，能够在高频工作条件下提供高效的功率转换效率。
其先进的沟槽结构设计显著降低了开关损耗，提高了系统的整体性能。
此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在高负载环境下保持稳定的运行。
TO-252封装形式使得该MOSFET适用于表面贴装工艺，便于在紧凑型电路板上进行安装。
由于其优良的电气特性和可靠性，2SK3020-TP广泛应用于各种功率电子设备中。
2SK3020-TP主要应用于DC-DC转换器、同步整流器、电源管理系统、负载开关以及功率放大器等场合。
它也适用于需要高效能和小型化设计的电源模块，如笔记本电脑电源适配器、服务器电源系统和工业控制设备。
由于其高频特性，该MOSFET也常用于高频开关电源和电机驱动电路中。
Si9410BDY-T1-E3, IRFZ44N, FDS6680, 2SK3018-TP
