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2SK3018T106 发布时间 时间:2025/4/29 11:54:27 查看 阅读:2

2SK3018T106 是一种双极性晶体管 (Bipolar Junction Transistor, BJT),属于东芝公司生产的功率晶体管系列。该器件主要设计用于高频、高功率应用,具有良好的开关特性和线性放大性能。它通常被用作射频功率放大器中的关键元件,广泛应用于通信设备、广播系统以及工业微波领域。
  该型号以耐高压、低饱和电压和高增益为特点,适用于要求严格的高频功率放大场景。

参数

集电极-发射极击穿电压:700V
  集电极最大电流:5A
  功率耗散:150W
  过渡频率(fT):90MHz
  直流电流增益(hFE):40
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

2SK3018T106 具有较高的击穿电压,能够承受高达 700V 的集电极-发射极电压,这使得它在高压环境下依然可以稳定运行。同时,其低饱和电压保证了高效的功率转换,减少能量损耗。
  此外,这款晶体管的过渡频率达到 90MHz,适合高频电路设计需求。它的直流电流增益适中,约为 40,在高频功率放大器中提供了可靠的增益表现。
  工作温度范围广,从 -55℃ 到 +150℃,使该器件能够在极端环境条件下正常工作。这种广泛的温度适应能力进一步提升了其在工业及户外应用中的可靠性。

应用

2SK3018T106 广泛应用于射频功率放大器的设计,特别是在无线通信基站、广播电台发射机等场合。由于其高击穿电压和高频性能,也常用于工业加热设备中的微波发生器部分。
  此外,它还可以作为开关晶体管使用,在电源管理模块和脉冲调制电路中发挥重要作用。得益于其宽温区工作能力,该晶体管也被推荐用于需要长时间可靠运行的恶劣环境下的电子设备中。

替代型号

2SK2925A, 2SC4240

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2SK3018T106参数

  • 产品培训模块MOSFETs
  • 特色产品ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C100mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8 欧姆 @ 10mA,4V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds13pF @ 5V
  • 功率 - 最大200mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装UMT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称2SK3018T106TR