型号：2SK2960
　　极性：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：1500 V
　　最大漏极电流（Id）：3.0 A
　　最大功耗（Pd）：80 W
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值3.2 Ω（最大值4.5 Ω）@ Vgs=10V
　　阈值电压（Vgs(th)）：典型值4.0 V（范围3.0～5.0 V）
　　栅极电荷（Qg）：典型值75 nC
　　输入电容（Ciss）：典型值1100 pF
　　输出电容（Coss）：典型值55 pF
　　反向恢复时间（trr）：无体二极管或极快恢复
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247

2SK2960采用东芝先进的U-MOS IX-H工艺技术，实现了在1500V高压下仍具备良好导通能力的平衡设计。其低导通电阻Rds(on)显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体效率。尽管该器件的Rds(on)相对现代超结MOSFET较高，但其在极高耐压等级下的稳定性使其在特定高压应用中仍具优势。器件具有优化的栅极结构，降低了米勒电容效应，从而减少了开关过程中的振荡和电磁干扰，提升了高频工作的可靠性。此外，2SK2960具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在瞬态过压情况下的鲁棒性。其TO-247封装提供了优良的散热路径，支持长时间高负载运行，并可通过散热器进一步增强热管理。该MOSFET还具备良好的dv/dt抗扰能力，避免因电压突变引起的误触发问题。内置的寄生体二极管经过优化，虽然不作为主整流元件使用，但在感性负载关断时可提供必要的续流路径，防止电压尖峰损坏器件。2SK2960在制造过程中遵循严格的品质控制标准，确保批次一致性与长期可靠性，适用于对安全性和稳定性要求较高的工业电源和能源系统。
　　值得注意的是，由于2SK2960属于较早一代的高压MOSFET产品，部分新型号在效率、尺寸和动态性能上已有所超越，但在现有设备维护、替换及特定设计兼容性方面依然具有重要价值。其引脚配置符合标准TO-247规范，便于与其他同类器件互换或升级。同时，该器件对驱动电路的要求适中，常规的MOSFET驱动IC即可满足其栅极驱动需求，简化了系统设计复杂度。综合来看，2SK2960是一款面向高压、中功率开关应用的成熟且可靠的功率MOSFET解决方案。

2SK2960广泛应用于需要高电压隔离和稳定开关性能的电力电子系统中。典型应用包括工业用高压DC-DC转换器，用于将直流电压升高或降低以匹配不同子系统的供电需求，尤其在电信电源、铁路信号系统和测试仪器中表现突出。在离线式开关电源（SMPS）中，该器件常用于反激式或正激式拓扑结构的主开关元件，能够承受来自电网的高压输入并实现高效的能量传递。此外，2SK2960也适用于高压LED驱动电源、X射线发生器电源模块以及静电除尘设备等特殊高压电源场合。在可再生能源领域，如太阳能逆变器的辅助电源部分，该MOSFET可用于构建高耐压的启动电路或偏置电源。由于其具备良好的温度稳定性和抗浪涌能力，2SK2960也被用于电机驱动电路中的高压侧开关，特别是在小型工业电机控制系统中作为功率切换元件。在电池储能系统或不间断电源（UPS）中，它可用于高压侧的充放电控制回路。另外，由于其封装易于安装散热器，因此在需要长时间连续运行的工业自动化设备中也得到了广泛应用。总之，2SK2960凭借其1500V的高耐压能力和稳定的电气特性，成为多种高压电源拓扑中不可或缺的关键元器件之一。

2SK2961, 2SK2962, STGF10NC150K, FGH10N150SMD