2SK2939L 时间：2025/9/7 16:42:44 阅读：5

2SK2939L 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET晶体管，主要用于电源管理和开关电路中。该器件具有低导通电阻、高电流容量以及良好的热稳定性，适用于多种高功率应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：15A
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约30mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220AB

特性

2SK2939L 的主要特性包括低导通电阻，这使得该器件在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体效率。
　　其高耐压能力（60V）使其适用于多种中高压电源设计。
　　该MOSFET采用TO-220AB封装，具备良好的散热性能，适合在高功率密度环境中使用。
　　此外，2SK2939L 具有快速开关特性，适用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机控制电路。
　　该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够在极端条件下提供更高的可靠性和稳定性。
　　由于其优异的热性能和电气性能，2SK2939L 通常被用于工业电源、电池充电器、电动工具和汽车电子系统等应用中。

应用

2SK2939L 主要用于各种高功率电子设备和系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统等。
　　它也常用于工业控制设备、UPS（不间断电源）系统、太阳能逆变器和电动车控制系统中。
　　由于其高频响应能力和低导通损耗，该器件在需要高效能和高可靠性的应用中表现尤为出色。
　　在汽车电子领域，2SK2939L 可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及其他车载电源管理系统。