时间：2025/9/7 18:36:04
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2SK2926是一款N沟道功率MOSFET，由东芝公司生产，广泛用于高功率开关和放大器应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和高功率处理能力的特点，适合用于电源管理、DC-DC转换器、马达控制以及音频放大器等电路设计中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：150V
最大漏极电流（Id）：30A（连续）
导通电阻（Rds(on)）：约0.055Ω（典型值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V～4V
最大功耗（Pd）：150W
封装形式：TO-220
工作温度范围：-55°C至150°C
2SK2926是一款高性能功率MOSFET，采用了先进的平面工艺技术制造，具有优异的导通特性和快速的开关性能。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具备高耐压能力（Vds=150V），能够适应较高电压的电路环境。
2SK2926还具备良好的热稳定性和较高的电流承载能力，使其在高负载条件下仍能保持稳定运行。其TO-220封装形式便于安装和散热，适用于多种功率电子设备。
在开关应用中，2SK2926具有较短的上升和下降时间，有助于提高系统的响应速度和效率。此外，其栅极驱动电压范围适中（2V～4V），兼容常见的驱动电路，方便设计和应用。
2SK2926主要用于高功率开关电路，例如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、马达驱动器、电池管理系统（BMS）以及音频功率放大器。其低导通电阻和高耐压特性使其在电源管理应用中表现出色，能够有效减少能量损耗并提高整体系统效率。此外，该MOSFET也适用于工业自动化设备、汽车电子系统以及高功率LED驱动电路。
2SK3045, 2SK3047, IRF150, IRFZ44N
