2SK2922 是一种 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于高频放大器、射频开关以及音频功率放大器等场景。该器件以其低导通电阻和高增益特性著称,适用于需要高效率和高性能的电路设计。
2SK2922 的主要特点包括优秀的线性性能、较低的噪声系数以及出色的增益表现,这使其成为射频和音频应用的理想选择。同时,它还具有较高的击穿电压,能够承受较大的瞬态电流。
类型:N沟道 MOSFET
最大漏源电压 Vds:50V
最大栅源电压 Vgs:±20V
最大漏极电流 Id:10A
输出电容 Coss:80pF
输入电容 Ciss:450pF
反向传输电容 Crss:18pF
导通电阻 Rds(on):0.18Ω
功耗 Ptot:75W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
2SK2922 是一款专为高频和高功率应用设计的 MOSFET,其主要特性如下:
1. 高击穿电压(50V)确保了器件在高压环境下的稳定性。
2. 低导通电阻(0.18Ω)有助于减少功率损耗,提高整体效率。
3. 较大的漏极电流能力(10A)使得该器件可以处理大功率负载。
4. 低寄生电容值(Coss=80pF,Ciss=450pF,Crss=18pF)保证了良好的高频性能。
5. 工作温度范围宽广(-55℃至+175℃),适应多种极端环境条件。
6. 线性度优秀,适合用于射频和音频信号的放大与切换。
这些特性使 2SK2922 成为许多高性能电子设备中的关键组件。
2SK2922 常见的应用领域包括:
1. 射频功率放大器:
- 用于无线通信系统中的信号增强。
2. 音频功率放大器:
- 在高保真音响设备中提供清晰的声音输出。
3. 开关电源:
- 实现高效的直流到直流转换。
4. 脉冲形成网络:
- 用于雷达和其他脉冲信号生成系统。
5. 高频开关:
- 适用于各种高速数字和模拟电路。
由于其卓越的性能,2SK2922 在上述应用中表现出色,满足了现代电子设备对效率和可靠性的要求。
2SK2172, 2SK2522