2SK2912L是一款N沟道功率MOSFET,由东芝(Toshiba)生产,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等电路中。该器件具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,能够提供高效能和良好的热稳定性。2SK2912L采用SOP(小外形封装)或类似表面贴装封装,适合高密度PCB设计。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):3.6A
导通电阻(Rds(on)):160mΩ(典型值)
功耗(Pd):1W
工作温度范围:-55°C至150°C
存储温度范围:-55°C至150°C
2SK2912L具有多项优异的电气和热性能特点,适用于多种高效率功率应用。其低导通电阻(Rds(on))可有效降低导通损耗,提高整体系统的能效。此外,该MOSFET具有较高的栅极绝缘性能,能够承受±20V的栅源电压,确保在各种工作条件下稳定运行。
在热性能方面,2SK2912L采用了高效的散热封装结构,使其在连续工作状态下仍能保持较低的温度上升,增强了器件的可靠性和寿命。同时,该器件的封装设计适合自动化贴片生产,提高了PCB组装的效率。
该MOSFET还具备良好的抗冲击能力和短路耐受性,适用于负载开关、电源转换器以及电机控制等需要频繁开关操作的场景。其快速开关特性也有助于减少开关损耗,提升整体系统性能。
2SK2912L广泛应用于多种电子设备和系统中,包括电源管理模块、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统(BMS)、负载开关、电机驱动电路、LED照明控制电路以及工业自动化设备等。由于其低导通电阻和高可靠性,该器件也常用于便携式电子产品中的电源管理部分,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源控制电路。
在电动车和新能源系统中,2SK2912L也可用于低功率逆变器或充电控制电路中,作为开关元件使用。此外,该MOSFET还可用于传感器电路和嵌入式系统的电源管理模块中,提供高效的电能控制。
Si2302DS, AO3400, IRF7404, 2SK3019