时间：2025/9/7 15:07:50
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2SK2912 是一款由日本东芝（Toshiba）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET晶体管，广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC转换器等高频功率转换场合。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压、高频响应等优点，适合用于中高功率的电源系统中。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大漏极电流（Id）：80A（连续）
导通电阻（Rds(on)）：约2.0mΩ（典型值）
功率耗散（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
2SK2912 MOSFET具备多个优良的电气特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高电源转换效率，适用于高效率开关电源设计。其高耐压能力（Vds=100V）使其在多种功率应用中具备良好的稳定性与可靠性。此外，该器件支持大电流输出，最大连续漏极电流可达80A，适用于高功率密度的电源系统。
该MOSFET采用TO-247封装形式，具有良好的散热性能，有助于在高负载条件下保持较低的结温，从而提升整体系统稳定性。其栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，适用于多种控制IC和驱动器。
在动态性能方面，2SK2912具备快速开关特性，能够支持高频开关操作，适用于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器等高频应用场合。其内部结构优化设计降低了开关损耗，提高了系统的整体效率和响应速度。
2SK2912常用于各类功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、UPS不间断电源、工业自动化控制系统以及高功率LED照明驱动电路等。由于其具备高电流承载能力和低导通电阻，非常适合用于高效率、高功率密度的电源设计中。
SiHF80N100E、IPW90R120C3、FDP80N10、IXFH80N10P
