时间：2025/9/21 5:05:11
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2SK2911-TB-E是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等高效率功率转换场景。该器件采用先进的沟槽式场效应晶体管技术，具备低导通电阻和优异的开关性能，适用于需要高效能和紧凑设计的现代电子设备。2SK2911-TB-E封装于小型表面贴装SOP型封装（如SOP-8或类似），有助于减少电路板空间占用并提升功率密度。其设计注重热稳定性和电气可靠性，在高温环境下仍能保持良好的工作特性。该MOSFET特别适合用于便携式电子产品、通信设备电源管理模块及各种中等功率开关应用场合。器件符合RoHS环保标准，并通过了严格的工业级可靠性测试，确保在严苛工作条件下长期稳定运行。
型号：2SK2911-TB-E
极性：N沟道
最大漏源电压（Vds）：30V
最大连续漏极电流（Id）：7.0A
最大脉冲漏极电流（Idm）：28A
最大栅源电压（Vgs）：±20V
阈值电压（Vth）：典型值1.5V，范围1.0V~2.5V
导通电阻（Rds(on)）：最大23mΩ（当Vgs=10V时），最大30mΩ（当Vgs=4.5V时）
输入电容（Ciss）：约1060pF（在Vds=15V，f=1MHz下测得）
输出电容（Coss）：约340pF
反向传输电容（Crss）：约70pF
功耗（Pd）：最大2.5W（Tc=25°C）
工作结温范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOP-8（表面贴装）
安装方式：表面贴装
2SK2911-TB-E具备出色的导通特性和开关响应能力，其核心优势在于低导通电阻Rds(on)，在Vgs=10V时可低至23mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体系统效率。这对于电池供电设备尤为重要，能够有效延长续航时间。该器件采用东芝专有的沟槽结构设计，优化了载流子迁移路径，提升了单位面积的电流承载能力，同时控制了热生成。
该MOSFET具有良好的栅极电荷特性，总栅极电荷（Qg）较低，使得在高频开关应用中所需的驱动能量更少，有利于简化驱动电路设计并降低驱动IC的负担。此外，其输入电容和反向传输电荷（Qgd）较小，有助于减少开关过程中的延迟和振荡现象，实现更快的上升和下降时间，从而提升开关频率上限。
2SK2911-TB-E在热管理方面表现出色，尽管采用小型SOP封装，但通过优化芯片布局与封装材料，实现了良好的热传导性能。在适当PCB布线散热条件下，可在较高环境温度下稳定工作。器件还具备较强的抗雪崩能力和过压保护特性，增强了在异常工况下的鲁棒性。
该器件对静电放电（ESD）具有一定的耐受能力，但仍建议在操作和焊接过程中采取防静电措施以确保可靠性。其阈值电压范围适中，兼容常见的逻辑电平信号驱动，例如3.3V或5V微控制器输出，无需额外电平转换即可直接驱动，在数字控制电源系统中使用方便。
2SK2911-TB-E主要应用于各类中低电压、中等电流的开关电源系统，包括但不限于同步整流DC-DC降压或升压转换器，其中作为上管或下管MOSFET使用，发挥其低Rds(on)和快速开关的优势。在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑的电源管理系统中，该器件常用于电池充放电控制、电压调节模块（VRM）及背光驱动电路。
在工业控制领域，它可用于电机驱动电路中的H桥拓扑结构，控制小功率直流电机或步进电机的正反转与调速。此外，在LED照明驱动电源中，特别是恒流源设计中，2SK2911-TB-E也可作为主开关元件，提供高效稳定的能量转换。
通信设备中的板级电源模块也广泛采用此类高性能MOSFET，用于为FPGA、ASIC、DSP等核心芯片提供多路稳压供电。由于其表面贴装封装形式，非常适合自动化贴片生产，适用于大批量制造场景。同时，该器件也常见于各类适配器、充电器、USB PD电源模块以及嵌入式电源系统中，满足对高效率、小体积和高可靠性的综合需求。
TK07A04K,SI2307DS,XM1201A
