2SK2906 时间：2025/8/9 16:17:39 阅读：18

2SK2906是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频率开关应用和功率放大电路中。该器件具有较高的耐压能力和较低的导通电阻，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制及各种功率电子设备。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：5A
　　最大漏-源电压（VDS）：100V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大0.45Ω（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：30W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220

特性

2SK2906 MOSFET的主要特性之一是其高耐压能力，VDS最高可达100V，这使其适用于多种中高功率应用场景。该器件的栅极驱动电压范围宽，可在+4V至+20V之间工作，便于与各种驱动电路兼容。在导通状态下，2SK2906的导通电阻较低，通常为0.45Ω，这有助于降低功率损耗，提高系统效率。
　　此外，2SK2906采用了高可靠性封装技术，具备良好的热稳定性和散热性能，能够在较高环境温度下稳定运行。其TO-220封装形式便于安装在散热片上，以进一步提高热管理能力。MOSFET的开关速度快，适用于高频开关电路，从而减小外围元件的尺寸并提升整体系统性能。

应用

2SK2906广泛应用于各类功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、LED驱动电源、电池管理系统以及各种功率放大电路。在电源管理系统中，它可用于高效率的电压调节和能量转换。在工业自动化控制中，2SK2906可以作为固态继电器或电机控制开关使用。此外，该MOSFET也适用于需要高频开关操作的逆变器和变频器系统。