时间：2025/8/9 11:18:09
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2SK2901-01S是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型MOSFET，常用于高频率开关应用和功率放大电路中。该器件具有低导通电阻、高频响应和高可靠性等特点，适用于如DC-DC转换器、电源管理和高频放大器等应用领域。
类型: N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds): 60V
最大栅源电压(Vgs): ±20V
最大连续漏极电流(Id): 500mA
导通电阻(Rds(on)): 3.5Ω（最大值）
栅极电荷(Qg): 10nC（典型值）
工作温度范围: -55°C ~ +150°C
封装类型: SOT-323
2SK2901-01S具有低导通电阻的特点，这有助于减少功率损耗并提高能效。其高频响应特性使其适用于高频率开关应用，如DC-DC转换器和射频（RF）电路。此外，该器件的封装形式为SOT-323，体积小巧，便于在紧凑型电路板设计中使用。
该MOSFET的栅极电荷较低，这意味着它可以在较短的时间内完成开关操作，从而降低开关损耗并提高系统的整体效率。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其适用于多种恶劣环境条件下的应用，包括汽车电子和工业控制系统。
2SK2901-01S广泛应用于需要高频开关和高效能管理的电路中，如DC-DC转换器、LED驱动电路、电源管理系统以及便携式电子设备中的功率控制部分。此外，由于其高频特性，它也常用于射频（RF）放大器和无线通信模块中的信号处理电路。
2SK3018, 2SK2462, 2N3904
