时间：2025/8/9 12:50:06
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2SK2896-01S是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频率开关应用，具有低导通电阻和优良的热稳定性。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器以及电机控制等领域。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：100A
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(ON)）：约2.7mΩ
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：SOP（表面贴装封装）
2SK2896-01S MOSFET采用了先进的沟槽式技术，实现了极低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了效率。
该器件的封装设计具有优良的散热性能，能够适应高功率密度应用的需求。
其高耐压能力和宽泛的工作温度范围使其在恶劣环境下仍能保持稳定运行。
此外，它还具有快速开关特性，适用于高频开关电路，能够有效降低开关损耗。
由于采用了先进的制造工艺，这款MOSFET在高温条件下仍能保持良好的稳定性和可靠性。
2SK2896-01S广泛应用于各种电力电子设备中，如服务器电源、通信电源、DC-DC转换器、电池管理系统和电机驱动器等。
其高效率和低导通电阻特性使其成为高性能电源管理系统的理想选择。
此外，该器件也适用于需要高可靠性和高效率的工业控制设备和消费类电子产品中。
SiR100DP, IRF1010E, SQ100N03-07
