时间：2025/8/9 11:35:41
阅读：15
2SK2890-01MR是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。这款MOSFET以其高效率、低导通电阻和高可靠性著称，适用于需要高功率密度和高效能的电源设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：200V
栅源电压（Vgs）：±30V
漏极电流（Id）：10A
导通电阻（Rds(on)）：≤0.45Ω
功率耗散（Pd）：50W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220
2SK2890-01MR具有低导通电阻，这使得它在导通状态下能够保持较低的功耗，从而提高整体效率。
其高耐压特性（200V漏源电压）使其适用于高电压应用，确保在高电压条件下的稳定运行。
该MOSFET采用了先进的制造工艺，确保了优异的热稳定性和可靠性，适合长时间运行在高温环境下。
此外，2SK2890-01MR的封装形式为TO-220，便于散热和安装，适合各种电源模块和电路板设计。
它的栅极驱动电压范围宽，支持±30V，使得其在不同驱动条件下都能保持良好的性能。
2SK2890-01MR广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关等高功率应用中。
在电源管理领域，它常用于AC-DC电源适配器、LED照明驱动电路和电池充电器中，提供高效的功率转换。
由于其高可靠性和耐压能力，该MOSFET也适用于工业控制设备、自动化系统以及电源逆变器等应用场景。
此外，2SK2890-01MR还可用于高边和低边开关应用，提供快速开关和低损耗的性能，适用于需要高频率操作的电路设计。
2SK2647, 2SK2891-01MR
