时间：2025/9/7 13:51:45
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2SK2885L 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高频应用。该器件具有较低的导通电阻，能够在高电压和大电流条件下工作，常见于电源管理、DC-DC转换器、马达驱动器以及各种高效率电源系统中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：20V
最大漏极电流（ID）：5A
导通电阻（RDS(on)）：0.65Ω（最大值）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-92
2SK2885L 具备低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率。其设计允许在相对较高的电流下运行，同时保持较低的热量产生。此外，该器件的封装形式适用于自动插入工艺，便于在各种电子设备中进行大规模生产和安装。其高耐压特性使其适用于需要稳定性和高可靠性的电源管理应用。
这款MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，能够适应不同的控制电路需求，同时具备良好的热稳定性，可以在较宽的温度范围内保持性能稳定。2SK2885L的结构设计也有助于减少开关损耗，从而进一步提高系统的整体效率。
2SK2885L 常用于DC-DC转换器、电池充电器、马达控制电路、负载开关、电源管理系统以及工业自动化设备中的功率控制部分。由于其优异的电气性能和可靠性，它也被广泛应用于消费类电子产品和汽车电子系统中。
2SK2885, 2SK2886, 2SK2887
