时间：2025/8/9 5:23:34
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2SK2879-01是一款N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于高频和高功率电子设备中。这款晶体管具有优异的导通特性和较低的导通电阻，适合在音频放大器、开关电源和工业控制设备中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：150mA
漏-源极电压（VDS）：30V
栅-源极电压（VGS）：20V
功耗（PD）：200mW
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT-323
2SK2879-01的主要特性包括高可靠性、快速开关速度和低导通电阻。其高频性能使其适用于音频放大器和高频率开关应用。此外，该晶体管的封装形式（SOT-323）非常小巧，适合在空间受限的电路板上使用。晶体管的高栅极绝缘能力确保了在高温和高压条件下仍能保持稳定运行。
其快速开关能力减少了能量损耗，提高了系统效率。同时，这款MOSFET的低导通电阻（RDS(on)）降低了导通状态下的功耗，从而提升了整体性能。此外，2SK2879-01在设计上优化了抗静电能力，增强了器件在复杂电磁环境中的稳定性。
2SK2879-01通常应用于音频功率放大器、小型DC-DC转换器、信号开关电路以及各种便携式电子设备的电源管理部分。此外，它也常用于工业控制电路、传感器接口和通信设备中的高频信号处理模块。
2SK3018, 2SK2462, 2N3904
