类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：26V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：30A
　　导通电阻（Rds(on)）：5mΩ（最大值）
　　功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

2SK2876-26具有多项优异的电气和热性能，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。其次，该MOSFET支持高达30A的连续漏极电流，适用于高电流负载的应用场景。
　　此外，该器件具有快速开关特性，能够有效减少开关过程中的能量损耗，从而提升整体系统性能。其高栅极-源极电压（±20V）增强了器件的稳定性，降低了栅极驱动电路的设计复杂度。
　　在热性能方面，2SK2876-26采用了优化的封装设计，确保在高负载条件下能够有效散热，避免因温度过高而导致的性能下降或器件损坏。该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于严苛的工业和汽车应用环境。
　　最后，2SK2876-26符合RoHS环保标准，不含任何有害物质，适用于对环保要求较高的应用。

2SK2876-26主要应用于高功率和高频率的电子系统中。常见的应用包括电源管理模块，如DC-DC转换器和AC-DC电源适配器，用于提高能量转换效率并减少热量产生。此外，该器件也广泛用于电机驱动和控制电路中，提供高效的功率输出并减少能耗。
　　在工业自动化领域，2SK2876-26可用于PLC（可编程逻辑控制器）中的开关电路，确保快速、可靠的信号处理。在新能源领域，该MOSFET可应用于太阳能逆变器和储能系统中，帮助实现高效的能量转换和管理。
　　由于其高可靠性和宽工作温度范围，2SK2876-26也适用于汽车电子系统，例如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统（BMS）等。这些应用要求器件在极端环境条件下保持稳定性能，而2SK2876-26正好满足这些需求。

2SK2878, IRF3205