型号：2SK2874-01L,S
　　制造商：Toshiba
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大连续漏极电流（ID）：5.5A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：16A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　阈值电压（Vth）：典型值1.2V，范围1.0V~2.0V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大23mΩ（当VGS=10V时）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大28mΩ（当VGS=4.5V时）
　　输入电容（Ciss）：典型值500pF（在VDS=15V，VGS=0V，f=1MHz条件下）
　　开关时间：开启时间约10ns，关断时间约20ns（具体取决于测试条件）
　　功耗（PD）：最大1.5W（TC=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：S-Mini（小型表面贴装封装）

2SK2874-01L,S具备优异的电气性能和结构设计，其核心优势之一是低导通电阻，在VGS=10V时RDS(on)最大仅为23mΩ，这意味着在大电流通过时产生的导通损耗非常小，显著提高了电源系统的整体效率。这一特性使其特别适用于电池供电设备中的同步整流或负载开关应用，可有效延长续航时间。
　　该器件还具有出色的开关特性，输入电容和输出电容较小，使得其在高频开关环境下仍能保持较低的驱动损耗和较快的响应速度，适用于高达数百kHz甚至MHz级别的开关电源拓扑结构。此外，其栅极电荷（Qg）较低，减少了驱动电路所需的能量，进一步提升了系统能效。
　　从热管理角度来看，2SK2874-01L,S采用了高效的散热设计，尽管封装体积小巧，但其热阻（Rth(j-c)）表现良好，能够在有限的空间内有效传导热量，避免因局部过热导致性能下降或器件损坏。
　　该MOSFET的阈值电压较低，典型值为1.2V，允许使用低电压逻辑信号直接驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并降低了成本。同时，其具备良好的抗噪声能力和稳定的阈值电压温度系数，确保在不同工作温度下仍能可靠开启。
　　在可靠性方面，该器件通过了严格的工业级测试，包括高温反向偏压测试（HTRB）、高温栅极偏压测试（HTGB）以及机械冲击和振动测试，保证了长期使用的稳定性。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，减少了在感性负载切换过程中的反向电流尖峰，降低了电磁干扰（EMI）风险。

2SK2874-01L,S广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的场合。常见于便携式电子设备的电源管理系统中，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的DC-DC降压或升压转换器，作为主开关或同步整流开关使用。
　　在笔记本电脑和超极本中，该器件可用于CPU核心供电、内存电压调节等多相VRM（电压调节模块）设计中，提供快速动态响应和高效率的能量转换。
　　此外，它也适用于LED背光驱动电路、电池充电管理IC外围开关、热插拔控制器以及各种负载开关应用，实现对电源路径的精确控制。
　　在工业控制领域，该MOSFET可用于PLC模块、传感器供电开关、继电器替代方案等低功率开关场景。
　　由于其小型封装和高集成度特点，2SK2874-01L,S非常适合用于空间受限的高密度PCB设计，尤其在追求轻薄化和节能化的现代电子产品中表现出色。

2SK2968-01L,S