时间：2025/8/9 10:45:04
阅读：30
2SK2873-01是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用高密度单元设计，能够在高电压和高电流条件下稳定工作，同时具备较低的导通电阻，以减少功率损耗。2SK2873-01广泛应用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电池管理系统和电机控制等工业和消费类电子设备中。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：150 V
栅极-源极电压（Vgs）：±20 V
连续漏极电流（Id）：60 A
导通电阻（Rds(on)）：约7.5 mΩ（最大值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220SM(W)
2SK2873-01具备多项优异的电气和物理特性，使其在高功率应用中表现出色。
首先，该MOSFET的漏极-源极耐压高达150V，能够满足中高压电源转换系统的需求。其栅极-源极电压允许达到±20V，增强了在高频开关应用中的稳定性与可靠性。
其次，2SK2873-01的导通电阻（Rds(on)）极低，典型值约为7.5毫欧姆。这一特性显著降低了导通损耗，从而提高了整体系统的能效。这对于高电流应用尤为重要，例如在服务器电源、电动工具和电动车电池管理系统中。
该器件的连续漏极电流额定值为60A，意味着它可以承载较大的负载电流，适用于需要高功率输出的场景。此外，其工作温度范围从-55°C到+150°C，确保了在各种环境条件下的稳定运行。
2SK2873-01采用TO-220SM(W)封装形式，具有良好的热管理性能和机械强度，便于安装在散热器上，进一步提高散热效率。这种封装形式也简化了PCB布局和焊接工艺，提高了生产效率。
此外，该MOSFET具有快速开关特性，适用于高频开关电路，从而减小了外围元件的尺寸，提高了系统集成度。其高耐雪崩能力和出色的短路耐受能力，也增强了在恶劣工作条件下的可靠性。
2SK2873-01广泛应用于多种电力电子系统中，尤其是在需要高效率和高功率密度的场合。常见的应用包括：
1. **开关电源（SMPS）**：作为主开关或同步整流器使用，提高电源转换效率。
2. **DC-DC转换器**：用于服务器、通信设备和工业控制系统的电源模块中。
3. **电机驱动和控制**：适用于电动工具、机器人和自动化设备中的电机控制系统。
4. **电池管理系统（BMS）**：用于电动车、储能系统和便携式设备的充放电控制电路。
5. **逆变器和UPS系统**：作为高频开关元件，提高系统响应速度和稳定性。
6. **LED照明驱动**：在高功率LED驱动电路中实现高效能的电流控制。
由于其出色的性能和可靠的封装结构，2SK2873-01在工业、消费电子、汽车电子等领域均有广泛应用。
SiHF60N150E、2SK3564、FDPF60N150、FQA60N150
