时间：2025/5/12 16:14:48
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2SK2857 是一种N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于高频、高电压和大电流的电子电路中。这种元件以其低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度而著称，适合于功率放大器、开关电源以及其他电力电子设备。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压：1600 V
最大栅源电压：±20 V
最大漏极电流：4 A
导通电阻：3.5 Ω（典型值，在特定条件下）
输入电容：930 pF
总耗散功率：120 W（在特定散热条件下）
2SK2857 具有出色的耐高压性能，能够承受高达1600V的漏源电压，适用于高压应用场景。此外，该元件具有较低的导通电阻，从而减少了传导损耗，并且具备快速的开关速度，适合高频应用环境。
由于其高可靠性与稳定性能，它被广泛用于功率转换电路、逆变器以及工业控制等领域。同时，其高击穿电压也使其能够在恶劣的电气环境中保持正常工作。
2SK2857 主要应用于各种高压功率电子领域，包括但不限于开关电源、功率放大器、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，它还可用于音频功率放大器的设计，提供高效的信号放大力。
2SD1288, IRFP260N
