时间：2025/8/8 21:22:30
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2SK2850-01SC 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频开关应用。该器件采用小型表面贴装封装（SOP），适合用于紧凑型电源设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
工作电压：最大200V
工作电流：最大1.0A
导通电阻：典型值为3.0Ω（VGS=10V）
栅极阈值电压：2.0V至4.0V
功率耗散：最大200mW
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：SOP（表面贴装）
2SK2850-01SC MOSFET具有低导通电阻，这有助于减少开关损耗并提高效率。该器件采用SOP封装，节省空间并便于在PCB上安装，适合高频开关电源、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。此外，其高耐压特性使其适用于多种电源管理场景。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，允许使用标准逻辑电平进行控制，提高了设计的灵活性。此外，其低漏电流特性确保在关断状态下功耗极低，有利于提高整体系统的能效。
热稳定性良好，能够在较高温度下稳定运行，适用于对可靠性有较高要求的工业和消费类电子产品。
2SK2850-01SC 广泛应用于便携式电子设备、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制电路以及各种低功耗高频开关电源中。由于其小型封装和高性能特性，也常用于空间受限的设计。
2SK2850-01SC的替代型号包括2SK2850-01L（相同性能但不同封装）以及2SK2840系列MOSFET。
