2SK2833 时间：2025/8/9 15:10:29 阅读：32

2SK2833是一种N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高频放大器和功率放大器等电子电路中。该器件采用硅基材料，具有良好的高频性能和低噪声特性，适用于通信设备、音频放大器以及各类射频（RF）应用。其封装形式通常为TO-92或类似的小型封装，适合在空间受限的电路板上使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100mA
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：20V
　　最大功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　导通电阻（RDS(on)）：约5Ω（典型值）
　　增益（跨导）：约5mS
　　频率响应：适合高频应用，典型工作频率可达100MHz以上

特性

2SK2833具有多项优良的电气特性，使其在模拟和射频电路中表现出色。首先，其低噪声特性使其非常适合用于前置放大器和信号处理电路。其次，该MOSFET具有良好的线性度和高跨导，能够提供较高的增益和较宽的频率响应，适用于高频信号放大。此外，2SK2833的封装设计紧凑，散热性能良好，能够在较高频率下稳定工作。其较低的输入电容和输出电容也使其在射频应用中具有良好的匹配性能。2SK2833还具有较高的耐用性和较长的使用寿命，适用于各种工业级和消费级电子产品。

应用

2SK2833广泛应用于各类电子设备中，特别是在需要高频放大和低噪声放大的场合。例如，它常用于收音机、无线通信模块、音频放大器、传感器信号调理电路以及各类低功率射频发射器。由于其良好的线性度和低噪声特性，2SK2833也常用于前置放大器和模拟信号处理电路。在工业控制和测量设备中，该器件也常用于信号放大和功率控制。