时间：2025/8/9 10:14:21
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2SK2827-01 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频开关和功率放大器应用。该器件采用小型SOT-23封装，适合于需要高效率和低功耗设计的便携式设备和电源管理系统。
类型：N沟道
最大漏源电压（Vds）：20V
最大栅源电压（Vgs）：±12V
最大漏极电流（Id）：100mA
导通电阻（Rds(on)）：3.5Ω（最大）
功耗（Pd）：200mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
2SK2827-01 MOSFET具有低导通电阻的特点，这有助于减少在高电流应用中的功率损耗和热量产生。该器件的输入电容较小，适合高频开关操作，提高了系统的响应速度和效率。此外，其SOT-23封装形式确保了在紧凑电路板设计中的易用性，并提供了良好的热稳定性。
该MOSFET还具有良好的抗静电能力，能够在一定程度上防止静电放电（ESD）造成的损坏，提高器件在制造和使用过程中的可靠性。由于其增强型特性，该器件在零栅压下处于截止状态，从而避免了意外导通的风险，提高了电路的安全性。
2SK2827-01常用于便携式电子设备中的电源管理电路，例如手机、平板电脑和小型无线通信模块。此外，它也适用于低功率DC-DC转换器、负载开关和信号切换电路。由于其高频特性和低功耗设计，该器件也广泛应用于射频（RF）放大器和传感器接口电路中。
2SK3018, 2SK2462
