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2SK2807 发布时间 时间:2025/8/9 16:28:52 查看 阅读:36

2SK2807是一款N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由东芝(Toshiba)公司生产。这款晶体管设计用于高频开关应用,具有良好的导通特性和较低的导通电阻,适用于需要高效率和快速开关性能的电子电路。2SK2807广泛应用于DC-DC转换器、电源管理模块、马达控制以及各种消费类电子产品中。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):15A
  最大漏源电压(VDS):60V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):30mΩ(最大)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:TO-220

特性

2SK2807具有多项优异的电气特性,使其在高频开关应用中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))确保了在大电流条件下仍能保持较低的导通损耗,从而提高了系统的整体效率。
  其次,该器件具备较高的最大漏极电流能力(15A),适合需要高功率输出的应用场景。此外,60V的最大漏源电压(VDS)允许其在中等电压范围内稳定工作,适应了多种电源转换需求。
  2SK2807的栅极驱动电压范围为±20V,具有较强的抗干扰能力,能够确保在复杂电磁环境中稳定运行。该器件还具备良好的热稳定性,能够在-55°C至150°C的温度范围内正常工作,适应多种环境条件。
  其采用TO-220封装,散热性能良好,便于安装和散热片连接,适用于高功率密度的设计需求。

应用

2SK2807常用于各种电源管理和功率转换电路中,如DC-DC转换器、开关电源(SMPS)、马达驱动器以及LED照明系统等。其高频特性使其非常适合用于需要快速开关的应用场景,例如在同步整流电路中作为主开关器件使用。此外,2SK2807也广泛应用于工业自动化设备、电池管理系统(BMS)、逆变器以及消费类电子产品中,如笔记本电脑电源适配器、液晶电视背光驱动等。
  由于其高可靠性和良好的导通性能,2SK2807在汽车电子系统中也有一定的应用,例如车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和车载逆变器等。在这些应用中,它能够提供稳定的功率输出和高效的能量转换,确保系统的可靠性和能效表现。

替代型号

Si4410BDY-T1-GE3, IRFZ44N, FDP6N60

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