2SK2793 时间：2025/11/8 3:45:24 阅读：7

2SK2793是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、开关电源以及电机驱动等高效率功率转换场景。该器件采用先进的沟槽式栅极结构技术制造，能够在低导通电阻与高开关速度之间实现良好的平衡，从而有效降低功率损耗并提升系统整体能效。2SK2793通常封装于小型化的表面贴装功率封装（如SOT-23或类似的小型封装），具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性，适合在紧凑型电子设备中使用。其设计注重高频工作性能，适用于需要快速开关响应的应用场合。此外，该MOSFET具备较强的抗雪崩能力与过载保护特性，增强了在恶劣工作环境下的可靠性。由于其优异的电气特性和稳定的批量生产质量，2SK2793被广泛用于便携式电子设备、通信模块、电池管理系统以及其他工业控制领域中的功率开关电路中。

参数

型号：2SK2793
　　极性：N沟道
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：4A
　　脉冲漏极电流IDM：16A
　　导通电阻RDS(on)：35mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻RDS(on)：45mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压Vth：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容Ciss：800pF @ VDS=15V
　　输出电容Coss：200pF @ VDS=15V
　　反向传输电容Crss：50pF @ VDS=15V
　　栅极总充电量Qg：15nC @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：SOT-23

特性

2SK2793作为一款高性能N沟道MOSFET，在多个方面展现出卓越的技术优势。首先，其低导通电阻特性显著降低了在导通状态下的功率损耗，尤其在大电流应用中表现突出。例如，在VGS=10V时，RDS(on)仅为35mΩ，这意味着即使通过数安培的电流，产生的压降和发热也相对较小，有助于提高电源系统的转换效率，并减少对散热设计的依赖。这一特性使其非常适合用于电池供电设备中的负载开关或同步整流电路，能够有效延长续航时间。
　　其次，该器件具备优良的开关特性。得益于优化的栅极结构设计，2SK2793拥有较低的输入电容和反馈电容，使得其在高频开关应用中能够实现快速的上升和下降时间，减少开关过程中的交越损耗。这对于现代高频率工作的DC-DC变换器尤为重要，因为更高的开关频率可以减小外围电感和电容的体积，从而实现更小型化的设计。同时，较低的栅极电荷（Qg为15nC）意味着驱动电路所需提供的能量更少，进一步降低了驱动损耗，提升了整体能效。
　　再者，2SK2793的工作电压范围宽广，支持高达30V的漏源电压，适用于多种低压直流系统，如12V或24V工业控制系统、LED照明电源及汽车电子辅助电源等。其阈值电压范围为1.0V至2.5V，允许使用逻辑电平信号直接驱动，兼容多数微控制器的输出电平，简化了控制电路设计，无需额外的电平转换或驱动芯片，降低了系统成本和复杂度。
　　此外，该器件采用SOT-23小型表面贴装封装，不仅节省PCB空间，还便于自动化贴片生产，提高了制造效率。其额定工作结温可达150°C，具备良好的热稳定性和长期运行可靠性，适合在高温环境下持续工作。综合来看，2SK2793凭借其低RDS(on)、快速开关响应、逻辑电平兼容性以及紧凑封装等优点，成为众多中低功率开关应用的理想选择。

应用

2SK2793广泛应用于各类需要高效功率开关控制的电子系统中。常见用途包括便携式电子设备中的电源管理单元，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池充放电控制与负载开关；在DC-DC降压或升压转换器中作为同步整流MOSFET使用，以替代传统二极管整流方式，大幅提高转换效率；同时也常用于LED驱动电路中，作为恒流源的开关元件，确保亮度稳定且能耗最低。此外，它还适用于电机驱动模块，特别是在微型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中作为低端或高端开关使用，提供精确的启停与调速控制。在工业自动化领域，2SK2793可用于传感器供电控制、继电器驱动接口以及PLC模块中的数字输出通道。由于其具备一定的抗瞬态电压能力，也可用于汽车电子中的辅助电源系统，如车用USB充电模块或车载信息娱乐系统的电源切换电路。其小型封装特别适合空间受限的高密度PCB布局设计，是现代嵌入式系统和物联网设备中不可或缺的关键功率器件之一。