型号：2SK2792
　　极性：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大连续漏极电流（Id）：1.5A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：4.5A
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻Rds(on)：典型值35mΩ（Vgs=10V, Id=1A）
　　阈值电压Vgs(th)：典型值1.5V（范围1.0～2.5V）
　　输入电容Ciss：典型值380pF（Vds=25V, Vgs=0V, f=1MHz）
　　输出电容Coss：典型值120pF
　　反向传输电容Crss：典型值40pF
　　总栅极电荷Qg：典型值8nC（Vds=30V, Id=1.5A, Vgs=10V）
　　耗散功率Pd：1W（Ta=25℃）
　　工作结温范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：SOT-23

2SK2792采用先进的沟槽型MOSFET工艺制造，这种结构通过在硅片上刻蚀出垂直的沟槽并形成栅极，有效增加了单位面积内的沟道宽度，从而显著降低了导通电阻Rds(on)，提高了电流处理能力。其典型Rds(on)仅为35mΩ，在低电压大电流的应用中表现出色，有助于减少功率损耗和发热，提升整体能效。器件的阈值电压较低，典型值为1.5V，使其能够快速开启，并支持与3.3V或5V逻辑电平直接驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。
　　该MOSFET具备优异的开关特性，输入电容和反向传输电容较小，使得其在高频开关环境下仍能保持良好的响应速度和控制精度，适用于高达数百kHz甚至MHz级别的开关电源拓扑结构。同时，较低的栅极电荷Qg意味着驱动电路所需提供的能量更少，进一步降低了驱动损耗，提升了系统的动态效率。
　　从可靠性角度看，2SK2792具有良好的热稳定性和抗雪崩击穿能力，能够在瞬态过压或负载突变的情况下维持正常工作，避免因电压尖峰导致的永久性损坏。其工作结温范围宽达-55℃至+150℃，适应严苛的工作环境，包括高温工业场合或低温户外设备。此外，SOT-23封装不仅体积小巧，有利于节省PCB空间，还具备较好的散热性能，配合合理的布局布线可实现高效的热量传导。

2SK2792因其高效率、小尺寸和良好的开关性能，被广泛应用于多种中低功率电子系统中。在便携式电子设备如智能手机、平板电脑和移动电源中，常用于电池供电路径管理、负载开关或充电回路中的同步整流控制。在各类DC-DC升压、降压或升降压转换器中，作为主开关或同步整流管使用，可有效降低导通损耗，提高转换效率，延长电池续航时间。
　　在LED照明驱动电路中，2SK2792可用于恒流控制或PWM调光开关，凭借其快速响应能力和低导通电阻，确保灯光亮度稳定且无闪烁。此外，在小型电机驱动应用中，例如微型风扇、振动马达或步进电机的H桥驱动电路中，该器件能够提供足够的电流驱动能力，并实现精确的速度与方向控制。
　　工业自动化与传感器模块中也常见其身影，例如用于隔离式信号切换、继电器替代或电磁阀控制等场景，实现固态开关功能，提升系统响应速度和寿命。由于其表面贴装封装形式，特别适合自动化贴片生产流程，满足现代电子产品对小型化、轻量化和高集成度的需求。因此，无论是消费类电子还是工业控制系统，2SK2792都是一种性价比高且性能可靠的功率开关解决方案。

2SK3018
　　SI2302DS
　　AO3400