类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：120A（在Tc=25℃）
　　功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220SM（表面贴装）
　　导通电阻（Rds(on)）：约3.3mΩ（最大值，在Vgs=10V时）
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V

2SK2788VY90TR 是一款高性能的N沟道功率MOSFET，具备多项优良特性，适用于各种电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的Trench MOSFET结构，使得导通电阻显著降低，从而减少导通损耗，提高系统效率。其导通电阻Rds(on)在Vgs=10V时最大为3.3mΩ，确保在大电流条件下仍能保持较低的功率损耗。
　　此外，该MOSFET具有较高的电流承载能力，额定连续漏极电流可达120A，在高负载环境下仍能稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的栅源电压，增强了与不同驱动电路的兼容性。栅极阈值电压在1.0V至2.5V之间，适用于多种控制电路设计。
　　2SK2788VY90TR采用TO-220SM封装，具备良好的热性能和机械强度，适合表面贴装工艺，适用于自动化生产流程。该封装形式有助于提升器件在PCB上的稳定性和散热能力，适用于高功率密度设计。
　　该器件的工作温度范围为-55℃至+150℃，具备良好的热稳定性，适用于工业级和汽车电子应用。其内部结构设计优化了开关性能，缩短了开关时间，降低了开关损耗，从而提升整体系统的能效。
　　综上所述，2SK2788VY90TR是一款适用于多种功率电子设备的高性能MOSFET，凭借其低导通电阻、高电流容量、优异的热性能和稳定的开关特性，成为电源转换、电机控制和负载开关等应用的理想选择。

2SK2788VY90TR 主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业控制设备以及汽车电子系统中。该器件的高电流容量和低导通电阻使其特别适用于需要高效能和高功率密度的电路设计。

SiR182DP-T1-GE3, FDS6680, IRF1324SPBF, IPD90N03S4-03