时间：2025/8/9 16:31:02
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2SK2769-01MR 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高效率、高频开关应用。该MOSFET具有低导通电阻和高电流处理能力，常用于电源管理、DC-DC转换器和电机控制等应用。
类型：N沟道
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：20V
最大漏极电流（Id）：50A
导通电阻（Rds(on)）：6.5mΩ
功率耗散（Pd）：130W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOP（表面贴装）
2SK2769-01MR 具备多个高性能特性，使其在各类电源管理系统中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为6.5mΩ，这有效降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。此外，该器件支持高达50A的连续漏极电流，能够满足高负载应用的需求。
该MOSFET采用SOP封装形式，适合表面贴装技术（SMT），有助于提高PCB布局的紧凑性和可靠性。其最大漏源电压为30V，最大栅源电压为20V，适用于中低压功率转换系统。
在热管理方面，2SK2769-01MR 的最大功率耗散为130W，能够在高电流条件下保持良好的热稳定性，从而提升系统的长期运行可靠性。其工作温度范围为-55°C至150°C，适应多种环境条件，增强了器件的适用性。
此外，该MOSFET具有快速开关特性，适用于高频开关电路，如同步整流器、DC-DC转换器和电机驱动电路等。其增强型结构确保在零栅极电压下器件处于关闭状态，提高了安全性。
2SK2769-01MR 广泛应用于各种电力电子设备中，包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机控制器和负载开关等。其高电流能力和低导通电阻使其非常适合用于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源管理模块。此外，该器件也常见于工业自动化设备和汽车电子系统中。
Si4410BDY-T1-GE3, IRF6717TRPBF, 2SK3084-01MR
