时间：2025/8/9 12:09:21
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2SK2768-01S是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件专为高效率开关应用而设计，适用于DC-DC转换器、电源管理和电机控制等电路。2SK2768-01S采用先进的沟槽栅极技术，提供了优异的导通电阻和开关性能，同时具备较高的耐压能力和热稳定性。该MOSFET封装形式为SOP（小外形封装），适合在空间受限的应用中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：20V
连续漏极电流（ID）：100mA
功耗（PD）：200mW
工作温度范围：-55°C至150°C
存储温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOP
2SK2768-01S具备多项优良的电气和机械特性，适用于高效率的功率管理应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在导通状态下的能量损耗最小化，从而提高整体效率。此外，该器件的快速开关能力有助于减少开关损耗，适用于高频开关电路。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，允许在不同的控制电路中灵活使用。其高耐压能力（VDS为30V）确保了在较高电压环境下仍能稳定工作，同时具备良好的抗过载能力。此外，器件内部采用了优化的沟槽栅极结构，提高了热稳定性和可靠性，降低了因温度升高而导致性能下降的风险。
2SK2768-01S的SOP封装形式具有较小的尺寸和较低的重量，适用于高密度PCB布局。该封装还具备良好的散热性能，能够在一定程度上承受工作过程中产生的热量。此外，该MOSFET的机械强度较高，能够承受一定的物理冲击和振动，适用于工业控制、便携式设备和车载电子系统等应用环境。
2SK2768-01S广泛应用于低功率DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动电路以及各类便携式电子产品中。由于其具备较高的效率和较小的封装尺寸，特别适用于对空间和功耗要求较高的设计。
2SK3018, 2SK2768-01L
