2SK2766 时间：2025/8/9 16:54:52 阅读：32

2SK2766是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器和各种高功率开关电路中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性，适合用于高效率和高功率密度的电源系统设计。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：150V
　　最大漏极电流（ID）：60A（在25°C时）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大为20mΩ（典型值16mΩ）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2~4V
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C

特性

2SK2766具有多个关键特性，使其成为高性能功率应用的理想选择。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）能够显著降低导通损耗，提高整体系统的能效。该器件采用了东芝专有的U-MOS VIII技术，优化了结构设计，从而在高电压和高电流条件下依然保持优异的性能。
　　其次，2SK2766具备出色的热管理能力，封装设计允许高效的热量散发，确保在高负载工作条件下器件的稳定性和可靠性。其最大功率耗散为200W，适用于高功率密度应用。
　　此外，该MOSFET具有较高的栅极阈值电压，能够在较宽的控制电压范围内实现稳定的开关操作，适合用于PWM（脉宽调制）控制电路。器件的封装形式为TO-247，适用于高功率应用的安装和散热要求。
　　最后，2SK2766具有良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够在极端工作条件下提供稳定的性能，适用于工业、汽车电子和电源转换等严苛环境。

应用

2SK2766广泛应用于多个领域，包括但不限于：高效率电源供应器、服务器电源、DC-DC转换器、电机驱动器、太阳能逆变器、UPS（不间断电源）、汽车电子控制系统（如电动助力转向系统EPS、车载充电器OBC）以及各种高功率开关电路。由于其低导通电阻和高可靠性，该器件在需要高能效和高稳定性的电源管理应用中表现尤为突出。