2SK2765 是一款由东芝(Toshiba)公司生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛用于高效率电源转换系统和功率放大器中。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力的特点,适用于开关电源、DC-DC转换器和电机控制等应用场景。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):600V
栅源电压(Vgs):±30V
连续漏极电流(Id):15A
功率耗散(Pd):150W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装类型:TO-220
2SK2765具备多个高性能特性,首先是其高耐压能力,漏源电压(Vds)可达600V,使其适用于高电压环境下的功率转换应用。其次,该器件的导通电阻较低,有助于减少导通损耗,提高系统整体效率。此外,2SK2765具有较强的电流承载能力,连续漏极电流可达15A,适用于高功率输出的电路设计。
该MOSFET的封装形式为TO-220,具备良好的散热性能,适用于需要高可靠性的工业电源和电机控制设备。其栅源电压范围为±30V,具备较高的驱动灵活性,并且能够在较宽的温度范围内稳定工作(-55°C至+150°C),适应多种工作环境。
此外,2SK2765具有快速开关特性,能够有效减少开关损耗,提高系统的工作频率和响应速度。这使得它在高频率开关电源、DC-DC转换器以及音频放大器等应用中表现出色。
2SK2765 常用于各种功率电子设备中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、LED驱动器、电机驱动器和逆变器等。其高耐压和大电流能力使其非常适合用于高功率输出的电源适配器和工业控制系统。此外,该器件也可用于音频功率放大器中的输出级,提供高保真和高效率的音频放大性能。
在新能源领域,2SK2765可用于太阳能逆变器和电动车电源管理系统中,作为关键的功率开关元件。其快速开关特性和低导通电阻能够有效提高能源转换效率,延长设备运行时间。
2SK2766, 2SK2648, IRFBC40