型号：2SK276101MR
　　制造商：Toshiba
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大连续漏极电流（Id）：4.2A
　　导通电阻（Rds(on)）：27mΩ（@ Vgs=10V）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：450pF（@ Vds=15V）
　　总栅极电荷（Qg）：12nC（@ Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：1.5W
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP-8 或类似小型表面贴装封装

2SK276101MR具备出色的电气特性和热性能，使其在多种电源管理应用中表现出色。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，这对于提高DC-DC转换器和同步整流电路的效率至关重要。该MOSFET的栅极电荷（Qg）较低，意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，从而减少了开关损耗并提高了整体系统的能效。这种特性特别适用于便携式设备和电池供电系统，其中节能是关键设计目标。
　　该器件的阈值电压范围适中，确保了在逻辑电平信号下能够可靠地开启，同时避免因噪声引起的误触发。其输入电容和反向传输电容（Crss）经过优化，有助于减少米勒效应的影响，从而提升高速开关过程中的稳定性。此外，2SK276101MR具有良好的跨导（Transconductance）特性，使得栅极对漏极电流的控制更加精确，有利于实现精细的电流调节功能。
　　从封装角度来看，2SK276101MR采用小型表面贴装封装，不仅节省PCB空间，而且便于自动化贴片生产，提升了制造效率。该封装还具备一定的散热能力，结合合理的PCB布局设计，可以在不额外增加散热器的情况下处理中等功率水平的热量。器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于现代绿色电子产品设计。
　　在可靠性方面，2SK276101MR经过严格的测试验证，能够在宽温度范围内稳定工作，适用于工业级和消费级应用场景。其内部结构设计增强了抗静电放电（ESD）能力和耐压能力，即使在恶劣的工作环境下也能保持长期稳定的性能表现。这些综合优势使2SK276101MR成为中小功率电源管理领域的一款高性价比解决方案。

2SK276101MR广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子设备中。常见用途包括便携式消费电子产品中的电源开关，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关或电池管理模块。在这些应用中，该MOSFET用于控制不同子系统的供电通断，以实现节能待机或动态电源管理。
　　此外，它也被广泛用于DC-DC降压或升压转换器中作为同步整流开关，替代传统的肖特基二极管，从而大幅提高转换效率并减少发热。在LED驱动电路中，2SK276101MR可用于恒流控制回路中的开关元件，提供快速响应和低损耗的电流切换能力。
　　在工业控制领域，该器件可用于小功率电机驱动、继电器驱动电路或传感器电源控制单元，因其具备良好的开关特性和足够的电流承载能力。同时，在USB供电、充电管理IC外围电路以及各类嵌入式系统中，2SK276101MR常被用作理想二极管或反向电流阻断元件，防止电源倒灌损坏主控芯片。
　　由于其小型封装和高集成度特点，该MOSFET也非常适合用于高密度PCB设计，如主板上的多相供电模块或FPGA/CPU核心电压调节电路中的辅助开关。总之，凡是需要低电压、中等电流、高效率开关控制的场合，2SK276101MR都是一个可靠且经济的选择。

SSM3K276R,LXM3K276L