类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（Vds）：400V
　　漏源导通电阻（Rds(on)）：典型值0.35Ω（最大0.45Ω）
　　连续漏极电流（Id）：4.0A
　　脉冲漏极电流（Idm）：12A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值650pF
　　输出电容（Coss）：典型值120pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值35ns
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：SOP（Small Outline Package）

2SK2761采用了东芝专有的沟槽栅极技术，这种结构显著降低了单位面积下的导通电阻，从而在相同封装尺寸下实现了更高的电流承载能力和更低的功耗。该器件的Rds(on)在室温下仅为0.35Ω，这意味着在通过4A电流时，导通损耗仅为约5.6W（P=I2×R），有效提升了系统的整体效率。此外，低Rds(on)也有助于减少发热，延长器件寿命并降低对散热系统的要求。
　　该MOSFET具备优异的开关特性，其输入电容和输出电容较小，使得在高频开关应用中能够实现更快的开关速度和更低的驱动功率需求。这对于现代开关电源设计尤为重要，尤其是在追求高频率、小体积和高效率的AC-DC适配器、LED驱动电源和便携式设备充电器中，2SK2761可以显著减少开关损耗，提高转换效率。
　　2SK2761的栅极阈值电压范围为2.0V至4.0V，兼容常见的逻辑电平驱动信号，包括3.3V和5V控制系统，使其可以直接由微控制器或PWM控制器驱动，无需额外的电平转换电路，简化了设计复杂度。同时，器件具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，避免因温度升高导致的性能下降或热失控现象。
　　此外，2SK2761内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（典型35ns），可有效抑制在感性负载切换过程中产生的反向电流尖峰，减少电磁干扰（EMI）并提高系统可靠性。该器件还通过了多项工业级可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环测试，确保在恶劣工作环境下的长期稳定性。

2SK2761广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，特别是在需要高效率和小尺寸设计的场合表现突出。常见应用包括AC-DC开关电源适配器、笔记本电脑电源、液晶电视和显示器的背光电源模块、LED照明驱动电路以及DC-DC升压或降压转换器。在这些应用中，2SK2761作为主开关管或同步整流管使用，能够有效降低能量损耗，提高电源的整体转换效率。
　　在工业自动化领域，该器件可用于小型电机驱动电路、继电器驱动模块和电磁阀控制单元，利用其快速开关能力和高耐压特性实现精确的功率控制。此外，在通信设备中，如路由器、交换机和基站电源模块，2SK2761也常被用作DC-DC中间总线转换器的核心开关元件，满足设备对高可靠性和长寿命的需求。
　　由于其SOP封装具有较小的占地面积和良好的热性能，2SK2761特别适合于空间受限的便携式电子产品，例如移动电源、智能家电控制板和电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路。在这些应用中，器件不仅需要承受一定的电压应力，还需在有限的空间内实现高效的能量转换，而2SK2761的综合性能恰好满足这些要求。同时，其抗雪崩能力和过温稳定性也增强了系统在异常工况下的鲁棒性，减少了故障率。

2SK2760, 2SK2762, STP4NK60ZFP, FQP4N60L