时间：2025/8/9 15:36:29
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2SK2757-01是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET，适用于需要高效功率转换和开关控制的电路设计。该器件采用先进的沟槽式MOS结构，提供了低导通电阻、高开关速度和高耐压性能，使其在各种电源管理和功率电子设备中表现出色。2SK2757-01常用于DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器和负载开关等应用中。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100A（在Tc=25°C时）
功耗（Pd）：150W
工作温度范围：-55°C至150°C
存储温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220AB
导通电阻（Rds(on)）：最大值为4.5mΩ（在Vgs=10V时）
2SK2757-01 MOSFET具备多个高性能特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高整体效率。此外，该器件采用先进的沟槽式栅极结构，增强了电流处理能力并提高了开关速度，从而减少开关损耗。
这款MOSFET还具有较高的热稳定性，可在高电流和高温环境下稳定运行，适用于高功率密度设计。其封装形式为TO-220AB，具有良好的散热性能，有助于提高器件的可靠性和寿命。
另外，2SK2757-01的栅极驱动要求较低，支持快速开关操作，适用于高频开关电源和同步整流应用。该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够在高应力条件下保持稳定运行。
2SK2757-01广泛应用于多种功率电子设备，包括但不限于：
? DC-DC转换器和同步整流器
? 电池管理系统和电动工具
? 电机驱动器和负载开关
? 电源管理系统和功率放大器
? 工业自动化和电机控制电路
该MOSFET适用于需要高效、高可靠性和高性能功率开关的场景。
2SK2758-01, 2SK3084, IRF1405, Si4410BDY
