时间：2025/8/9 15:59:55
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2SK2756-01R 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高频开关电路、电源管理和电机控制等领域。这款MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适合用于要求高效能和高性能的电子设备中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：30A
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：20V
导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ（最大）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220AB
安装类型：通孔安装
2SK2756-01R MOSFET 的主要特性之一是其非常低的导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流应用中能够有效降低功率损耗并提高效率。此外，该器件采用了先进的沟槽式工艺技术，优化了导通性能和开关特性，从而实现更快的开关速度和更低的开关损耗。
该MOSFET的封装形式为TO-220AB，具有良好的散热性能，能够在高功率环境下稳定工作。其最大漏极电流为30A，最大漏源电压为60V，适用于多种中高功率应用场合。栅源电压的最大值为20V，提供了足够的驱动灵活性。
另一个显著的特性是其优异的热稳定性。在高温环境下，2SK2756-01R 仍能保持稳定的性能，不会因温度升高而导致显著的性能下降。这种特性使其非常适合在工业设备、汽车电子系统以及电源转换器中使用。
此外，2SK2756-01R 还具有良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下保护器件免受损坏，从而提高系统的可靠性和寿命。
2SK2756-01R MOSFET 主要用于高频开关电源、DC-DC转换器、马达驱动器、电池管理系统、工业自动化设备以及汽车电子系统等。由于其低导通电阻和高电流承载能力，它特别适合用于需要高效能和低功耗的应用场景。
在开关电源中，该MOSFET可用于主开关或同步整流器，以提高电源转换效率。在马达驱动器中，它可以作为功率开关，控制马达的启停和转速。在电池管理系统中，2SK2756-01R 可用于电池充放电控制，确保电池的安全运行。
此外，该器件也可用于LED照明驱动、逆变器和UPS（不间断电源）等应用。由于其良好的热稳定性和抗过载能力，适用于各种严苛的工业和汽车环境。
2SK2647-01R, 2SK2688-01R
