时间：2025/8/9 12:07:11
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2SK2754-01S 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频率和高效率的开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供了优异的导通电阻和开关性能，适合用于电源管理、DC-DC转换器以及负载开关等应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流：4.5A
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：20V
导通电阻(RDS(on))：35mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT-23
2SK2754-01S MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性，这使得它在高频率开关应用中表现尤为出色。其SOT-23封装设计不仅节省空间，还便于在PCB上安装和散热。此外，该器件的栅极驱动电压范围宽，能够在不同的工作条件下保持稳定性能。由于其卓越的热稳定性和过载能力，该MOSFET在电源转换效率和可靠性方面表现优异。在负载开关应用中，它可以有效地减少功率损耗并提高系统效率。
该MOSFET的沟槽结构设计优化了载流子的流动路径，从而降低了导通电阻，并减少了开关过程中的能量损耗。此外，其短路耐受能力和过热保护特性使其在恶劣环境下也能可靠工作。这种MOSFET还具有良好的抗静电能力，可以有效防止静电放电对器件的损坏。
2SK2754-01S 主要应用于小型开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、负载开关、电池管理系统以及各类便携式电子设备中的电源管理模块。
2SK3018, 2SK2642, 2SK3435
