时间：2025/8/9 13:16:29
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2SK2753-01 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高频应用设计。该器件采用了先进的工艺技术，具有优良的高频特性，适用于射频（RF）功率放大器、开关电源、逆变器以及电机控制等场合。该型号属于MOSFET系列，具有低导通电阻和高开关速度的特点。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：15A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：25mΩ（典型值）
功率耗散（PD）：100W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220
引脚数：3
2SK2753-01 MOSFET具备多项优异的电气和物理特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）仅为25mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统效率，特别适用于高功率密度的应用。其次，该器件的最大漏极电流可达15A，漏源电压为60V，使其在中高功率应用中表现出色。
此外，2SK2753-01具有快速开关能力，适合高频工作环境。其TO-220封装形式具备良好的散热性能，适用于需要高可靠性和稳定性的电路设计。该器件还具备较高的热稳定性，能在较高温度环境下稳定工作。
2SK2753-01广泛应用于多种电子设备和系统中。其主要用途包括高频功率放大器、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动电路、照明镇流器以及工业自动化控制系统。在音频放大器和射频电路中，该器件能够提供稳定的性能，适用于高效率和高可靠性的设计需求。
2SK2646, 2SK2647, 2SK2751, 2SK2752
