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2SK2731T146 发布时间 时间:2025/5/13 13:03:37 查看 阅读:14

2SK2731T146是一款高性能的N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),主要用于高频开关应用和功率放大器中。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,广泛应用于射频功率放大、通信设备以及工业控制等领域。
  该型号是富士电机(Fuji Electric)生产的一款功率MOSFET,属于该公司旗下的高效能产品系列,适用于需要高效率和可靠性的应用场景。

参数

最大漏源电压:150V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:3.8A
  脉冲漏极电流:11.4A
  导通电阻:0.2Ω
  总耗散功率(Tc=25°C):120W
  工作结温范围:-55°C至+175°C
  封装形式:TO-247

特性

2SK2731T146具有以下主要特性:
  1. 高效性能:其低导通电阻设计可显著减少功率损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关能力:具备高开关速度,适合高频应用场合。
  3. 良好的热稳定性:能够在较宽的温度范围内稳定工作,适用于苛刻环境下的应用。
  4. 高可靠性:采用坚固耐用的设计,能够承受较大的瞬态电流和电压冲击。
  5. 小型化与优化散热:通过改进的封装技术,既保证了散热效果,又减少了整体体积。

应用

该芯片主要应用于以下领域:
  1. 射频功率放大器:在通信基站、卫星通信等场景中的功率放大模块中使用。
  2. 工业电源:如开关电源、逆变器和不间断电源(UPS)等设备。
  3. 电机驱动:用于伺服电机和其他类型的电机控制系统。
  4. 照明系统:包括LED照明驱动电路以及其他高效照明方案。
  5. 医疗设备:例如超声波设备、X光机等对功率要求较高的医疗仪器。

替代型号

2SK2591, 2SK2860, IRFP150N

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2SK2731T146参数

  • 产品培训模块MOSFETs
  • 特色产品ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C200mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.8 欧姆 @ 100mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds25pF @ 10V
  • 功率 - 最大200mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装3-SMT
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称2SK2731T146-ND2SK2731T146TR