2SK2704 时间：2025/12/29 14:28:42 阅读：9

2SK2704是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率放大电路中。该器件采用先进的平面硅工艺制造，具有高可靠性、低导通电阻和高电流容量等特点。2SK2704常用于DC-DC转换器、电池管理系统、电源开关和负载开关等场景。其封装形式为SOT-227B（4引脚），适用于高功率密度设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：100V
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值13.5mΩ（典型值10.5mΩ）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V至4.0V
　　最大栅极电压（VGSM）：±20V
　　最大功耗（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-55°C至+150°C

特性

2SK2704是一款高性能的N沟道MOSFET，具有较低的导通电阻（RDS(on)），在高温环境下仍能保持稳定的工作性能。其低导通电阻可以有效降低功率损耗，提高电源转换效率，适用于需要高电流处理能力的电路设计。此外，该器件的封装形式为SOT-227B，具备良好的热管理和散热能力，适用于紧凑型高功率应用。2SK2704的栅极驱动电压范围较宽，支持2V至20V之间的驱动电压，具有良好的兼容性。该MOSFET还具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的过载电流而不会损坏。
　　2SK2704的设计考虑了热稳定性，采用高热导率材料和优化的内部结构，确保在高负载条件下仍能保持良好的散热性能。其栅极保护二极管可防止栅极电压过高，提升器件的可靠性和使用寿命。此外，该MOSFET的封装结构设计有助于降低寄生电感，减少高频开关过程中的电压尖峰，提高整体系统的稳定性。2SK2704适用于需要高效能、高可靠性的功率开关应用，如服务器电源、工业电源、电动汽车充电系统和电机驱动器等。

应用

2SK2704主要应用于高功率电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统和功率放大器。该器件也适用于工业自动化设备、服务器电源、UPS（不间断电源）、电动汽车充电系统以及电机控制电路。在汽车电子系统中，2SK2704可用于电动助力转向系统（EPS）、车载充电器和电池管理系统等。此外，在新能源领域，如太阳能逆变器和风能转换系统中，该MOSFET也能提供高效能的功率开关功能。