时间：2025/9/7 16:02:07
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2SK2684S是一款N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于高功率和高频电子设备中。该器件采用先进的硅加工技术制造，具有优异的导通性能和快速的开关特性，适用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：150V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：12A
导通电阻（Rds(on)）：0.035Ω（典型值）
功率耗散（Pd）：100W
工作温度范围：-55°C至+150°C
2SK2684S具有低导通电阻，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。其先进的硅芯片设计确保了良好的热稳定性，能够在高负载条件下可靠运行。
这款MOSFET采用TO-220封装，散热性能优越，适合在高功率密度应用中使用。此外，2SK2684S的快速开关特性使其适用于高频开关电源和DC-DC转换器，有效减少开关损耗并提高整体系统性能。
该器件的栅极驱动要求较低，兼容常见的驱动电路，简化了设计流程。2SK2684S还具备良好的抗雪崩能力，能够在异常工作条件下提供更高的可靠性。
2SK2684S常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池充电器以及工业自动化设备中。其高效能和高可靠性的特点使其成为许多高功率电子系统的首选MOSFET。此外，它也适用于音频功率放大器、逆变器和各种高功率LED驱动电路。
2SK2684, 2SK2684SL
