类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极电流（ID）：150mA
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(ON)）：约3.5Ω（典型值）
　　功耗（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23

2SK2684-01STR MOSFET具有多项技术特性，适用于多种电子电路设计。首先，它的低导通电阻（RDS(ON)）有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。这对于需要高效能运作的电源管理电路尤为重要。其次，该器件支持较高的漏源电压（VDS）达到100V，使其适用于中高压的功率控制应用。此外，其栅源电压范围为±20V，允许在较宽的控制电压范围内稳定工作，增强了设计的灵活性。
　　由于采用SOT-23封装，2SK2684-01STR在尺寸上非常紧凑，便于在高密度PCB布局中使用。这种封装还提供了良好的热稳定性，确保在正常工作条件下能够有效散热。该MOSFET的漏极电流额定值为150mA，适合用于小功率开关和控制电路。
　　另一个重要特性是其快速开关能力，有助于减少开关过程中的能量损耗，适用于高频工作的电源转换器。同时，其高输入阻抗特性可以降低驱动电路的负担，减少控制端的电流需求，提高整体系统的稳定性。这些特性共同使得2SK2684-01STR成为一款适用于多种应用的高性能功率MOSFET。

2SK2684-01STR MOSFET主要应用于需要高效功率管理的小型电子设备中。例如，在便携式电子产品中，该器件可作为电池供电系统的负载开关，有效控制电源的分配与切断，从而延长电池寿命。此外，它还常用于DC-DC转换器中的开关元件，帮助实现高效的电压转换。由于其高频开关特性，该MOSFET适用于开关电源（SMPS）中的功率控制部分，以提高转换效率并减少发热。
　　另外，2SK2684-01STR也可用于信号切换和逻辑电路中的控制开关，例如在模拟和数字信号路径中实现快速的通断控制。在工业自动化设备中，该器件可作为传感器或执行器的驱动开关，提供可靠的控制性能。其紧凑的SOT-23封装也使其成为空间受限应用的理想选择，如消费类电子产品、通信设备和车载电子系统。

2SK2684-01STR的替代型号包括2N3904、2SK3018-01L和2SK2688-01STR等。