2SK2673 时间：2025/10/27 16:37:27 阅读：7

2SK2673是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等高效率功率转换场合。该器件采用先进的平面硅栅极工艺制造，具备优良的导通电阻与栅极电荷平衡特性，能够在高频工作条件下实现较低的开关损耗和导通损耗。2SK2673特别适用于需要高电流处理能力和稳定热性能的应用环境。其封装形式为TO-220，具有良好的散热能力，便于在各种工业和消费类电子产品中安装和使用。该MOSFET设计用于在高达100V的漏源电压下工作，最大连续漏极电流可达8A，适合中等功率级别的应用需求。此外，2SK2673具备快速开关响应能力，有助于提升系统整体能效并减少外围元件数量。由于其优异的可靠性与长期供货保证，该型号被广泛用于各类电源管理模块和电子镇流器中。

参数

型号：2SK2673
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：TO-220
　　极性：N-Channel
　　漏源电压（Vds）：100 V
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　连续漏极电流（Id）：8 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：32 A
　　功耗（Pd）：50 W
　　导通电阻Rds(on)：0.09 Ω @ Vgs = 10 V
　　阈值电压Vgs(th)：2.0 V ~ 4.0 V
　　工作温度范围：-55 °C ~ +150 °C
　　输入电容（Ciss）：900 pF @ Vds = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：典型值 45 ns
　　导通延迟时间（td(on)）：典型值 15 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：典型值 40 ns

特性

2SK2673采用高性能硅基平面技术制造，具备出色的电气性能和热稳定性，确保在高负载和高温环境下仍能保持可靠运行。
　　其低导通电阻Rds(on)仅为90mΩ，在Vgs=10V时可显著降低导通状态下的功率损耗，从而提高系统效率并减少散热设计复杂度。
　　该器件拥有较高的电流承载能力，连续漏极电流达到8A，脉冲电流更可高达32A，适合应对瞬态大电流冲击的应用场景。
　　得益于优化的栅极结构设计，2SK2673具有较低的输入电容（Ciss=900pF）和快速的开关响应时间，导通延迟约15ns，关断延迟约40ns，使其非常适合高频开关应用如开关电源和DC-DC变换器。
　　同时，其反向恢复时间较短（trr≈45ns），配合体二极管的良好性能，有助于减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰。
　　2SK2673还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性，增强了在异常工况下的鲁棒性。
　　器件符合RoHS环保标准，采用TO-220封装，结构坚固，引脚兼容性强，便于手工焊接或自动化装配。
　　此外，该MOSFET具有宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），可在严苛的工业环境中稳定工作。
　　栅源电压容限达±20V，提高了对驱动电路波动的容忍度，增强了系统的可靠性。
　　综合来看，2SK2673是一款兼顾性能、可靠性和成本效益的中功率N沟道MOSFET，适用于多种电源和控制电路设计。

应用

2SK2673常用于各类中等功率开关电源系统中，例如AC-DC适配器、充电器和开关模式电源模块，利用其高效开关特性实现能量转换优化。
　　在DC-DC升压、降压及Buck-Boost转换电路中，该器件作为主开关管使用，能够有效降低传导损耗并提升转换效率。
　　它也广泛应用于电机驱动电路，特别是在小型直流电机或步进电机的H桥驱动方案中，提供快速响应和稳定的电流控制能力。
　　此外，2SK2673可用于电子镇流器、LED驱动电源以及逆变器等照明和能源相关设备中，支持高频工作模式以减小磁性元件体积。
　　在工业控制领域，该MOSFET可用于继电器驱动、电磁阀控制和电源分配单元，实现对负载的精确通断控制。
　　由于其良好的热性能和封装散热能力，也可用于电池管理系统（BMS）中的充放电开关控制。
　　在消费类电子产品如电视、音响设备和家用电器的内部电源部分，2SK2673同样表现出色，提供稳定可靠的功率切换功能。
　　此外，该器件还可用于太阳能充电控制器、UPS不间断电源等新能源相关应用，满足对高效率和长寿命的需求。