时间：2025/8/9 14:13:35
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2SK2649-01R是一款N沟道功率MOSFET，主要用于高效率的电源转换应用，例如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关。该器件由东芝（Toshiba）制造，采用小型表面贴装封装，适合高密度PCB设计。2SK2649-01R具备低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和快速开关特性，适用于需要高效能和低损耗的电路环境。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：8A
功耗（Pd）：2.5W
工作温度范围：-55°C至150°C
存储温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOP（表面贴装）
导通电阻（Rds(on)）：最大28mΩ（在Vgs=10V时）
阈值电压（Vgs(th)）：1.0V至2.5V
输入电容（Ciss）：约1500pF
反向恢复时间（trr）：快速恢复型
安装类型：表面贴装
2SK2649-01R具有多个优异的电气和物理特性，使其在多种电源管理应用中表现出色。首先，该MOSFET的低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通状态下的功率损耗，提高整体效率。其次，其高电流承载能力（8A连续漏极电流）使其适用于中高功率应用，例如DC-DC转换器、电池管理系统和负载开关。
此外，2SK2649-01R的快速开关特性有助于减少开关损耗，提升高频操作的性能。栅极驱动电压范围宽广（±20V），兼容多种驱动电路设计。该器件的SOP封装不仅节省空间，还便于自动化生产和回流焊工艺，适合现代电子设备的小型化需求。
2SK2649-01R广泛应用于各种电力电子系统中，尤其是在需要高效能和紧凑设计的场合。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、LED照明驱动、负载开关和电源管理模块。此外，它也适用于工业自动化设备、消费类电子产品和汽车电子系统，例如车载充电器、电动工具和车载逆变器等。由于其高效率和小型化封装，该器件在便携式设备和高密度PCB布局中尤为受欢迎。
Si9410BDY-T1-GE3, IRF7413PBF, FDS6680, AO4406A, 2SK3084, 2SK2647-01R
