2SK2645-01 时间：2025/8/9 11:54:23 阅读：7

2SK2645-01是一款N沟道功率MOSFET，常用于高频率开关电源、DC-DC转换器以及电源管理应用。该器件采用先进的平面硅栅工艺制造，具有低导通电阻、高耐压和高可靠性等特点，适用于需要高效能和小体积设计的电源系统。

参数

类型: N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds): 60V
　　栅源电压(Vgs): ±20V
　　连续漏极电流(Id): 8A
　　功耗(Pd): 40W
　　工作温度范围: -55°C ~ 150°C
　　封装类型: TO-220
　　导通电阻(Rds(on)): 0.3Ω（最大）

特性

2SK2645-01的主要特性包括低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率；高耐压能力使其适用于多种电源管理应用；采用TO-220封装，便于散热并适合安装在紧凑的电路板上。此外，该器件具有良好的热稳定性和电流承载能力，能够在较宽的温度范围内稳定工作。其栅极设计支持快速开关操作，降低了开关损耗，适用于高频率的开关电源应用。
　　该MOSFET的结构采用平面硅栅技术，提高了器件的可靠性和耐用性。在实际应用中，2SK2645-01能够提供稳定的性能，尤其适合需要高效能和低发热的电源设计。其优异的电气特性也使其成为许多工业和消费类电子产品的首选器件。

应用

2SK2645-01广泛应用于各类电源设备中，如AC-DC适配器、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器以及LED照明驱动电路。此外，它也常用于电池管理系统、太阳能逆变器、UPS不间断电源以及其他需要高效功率转换的电子设备中。由于其优异的电气性能和高可靠性，该器件在工业控制、汽车电子以及消费电子产品中均有广泛应用。