2SK2642-01MR-F119 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道增强型功率MOSFET,适用于高频率开关应用。该MOSFET采用了先进的工艺技术,提供了卓越的开关性能和导通损耗特性,广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用中。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏极电流(ID):30A(最大值)
漏极-源极击穿电压(VDS):60V
栅极-源极电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):典型值为30mΩ(在VGS=10V时)
功耗(PD):100W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-220SM(表面贴装)
2SK2642-01MR-F119 MOSFET具有极低的导通电阻,这有助于减少导通损耗并提高效率。其快速开关特性使其适用于高频开关电源设计。该器件的栅极电荷(Qg)较低,有助于减少开关过程中的能量损耗。
此外,该MOSFET采用表面贴装封装(TO-220SM),具有良好的热性能和机械稳定性,便于自动化生产和散热设计。该封装还具备较低的寄生电感,有助于提升高频应用中的性能。
器件内部结构优化,具有较高的雪崩能量耐受能力,确保在极端工作条件下的可靠性。此外,其栅极保护二极管可防止静电放电(ESD)损坏,提高器件在恶劣环境中的耐用性。
2SK2642-01MR-F119 主要应用于高效能电源系统,如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路和负载开关。该器件也常用于笔记本电脑、服务器电源、LED驱动器和电池管理系统(BMS)等高功率密度应用中。
在工业自动化和电机控制领域,该MOSFET可用于驱动直流电机和步进电机,提供高效的功率控制。此外,其低导通电阻和高电流能力使其适用于电源管理和负载切换应用。
在汽车电子领域,该MOSFET可用于车载电源系统、电动助力转向系统(EPS)和车载充电器(OBC)等应用,提供稳定可靠的功率开关性能。
2SK2642-01MR-F119 的替代型号包括2SK2642-01MR、2SK2642-01L和2SK2642-01MR-F119A。