时间：2025/8/9 15:31:22
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2SK2641-01 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高频率开关应用和功率放大电路中。该MOSFET采用小型SOT-23封装，适合用于需要高效率和紧凑布局的电子设备中。2SK2641-01 在设计上具有较低的导通电阻和快速的开关特性，适用于DC-DC转换器、负载开关和低电压功率放大器等应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电压（VDSS）：20V
最大漏极电流（ID）：100mA（连续）
导通电阻（RDS(ON)）：约2Ω（在VGS=4.5V时）
栅极阈值电压（VGS(th)）：0.6V ~ 1.5V
最大功耗（PD）：200mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：SOT-23
2SK2641-01 具有优异的高频响应和快速开关性能，使其在高频功率转换电路中表现出色。该器件的低导通电阻有助于降低功率损耗，提高整体系统效率。此外，2SK2641-01 的小尺寸SOT-23封装使得它非常适合用于空间受限的设计，例如便携式电子产品和微型电源模块。其低栅极电荷（Qg）特性也有助于减少开关损耗，提高动态响应速度。
该MOSFET在制造过程中采用了先进的硅工艺，确保了稳定的电气性能和良好的热稳定性。其工作温度范围宽，可在恶劣环境下可靠运行。此外，2SK2641-01 的低阈值电压允许使用低电压控制信号进行驱动，适用于由微控制器或数字逻辑电路直接控制的应用场景。
2SK2641-01 主要用于低电压功率管理电路，如便携式设备中的DC-DC升压或降压转换器、LED驱动电路、小型马达控制、负载开关和电池管理系统。此外，它也可用于音频放大器、传感器接口电路以及各种低功耗电子产品的电源控制模块。
在设计中，该MOSFET常用于替代小型双极型晶体管（BJT），以减少功耗并提高效率。由于其高开关速度和低栅极驱动要求，2SK2641-01 也广泛应用于脉宽调制（PWM）控制和数字控制的功率电路中。
2SK3018, 2SK2234, 2N7002
